Comprar Infineon Technologies IRFL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

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Hojas de datos

IRFL014NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

Número de pieza

IRFL014NTRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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