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IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Número de pieza

IXFQ10N80P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3P-3, SC-65-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3P

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 2.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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