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IXFY8N65X2
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXFY8N65X2
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252AA
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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