La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTD3N50P-2J
MOSFET N-CH 500
Número de pieza
IXTD3N50P-2J
Fabricante/Marca
Serie
PolarHV™
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
70W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
409pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 28924 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTD3N50P-2J
IXTD3N50P-2J Componentes electrónicos
IXTD3N50P-2J Ventas
IXTD3N50P-2J Proveedor
IXTD3N50P-2J Distribuidor
IXTD3N50P-2J Tabla de datos
IXTD3N50P-2J Fotos
IXTD3N50P-2J Precio
IXTD3N50P-2J Oferta
IXTD3N50P-2J El precio más bajo
IXTD3N50P-2J Buscar
IXTD3N50P-2J Adquisitivo
IXTD3N50P-2J Chip