Comprar IXYS IXTM12N100 POWER MOSFET TO-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IXTM12N100

POWER MOSFET TO-3

Número de pieza

IXTM12N100

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-204AA, TO-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-204AA

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 23824 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IXTM10P60

POWER MOSFET TO-3