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IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
Número de pieza
IXTM67N10
Fabricante/Marca
Serie
GigaMOS™
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-204AE
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-204AE
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
67A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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