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PMN50EPEX
PMN50EPE/SOT457/SC-74
Número de pieza
PMN50EPEX
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Disipación de energía (máx.)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
793pF @ 15V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
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