La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V SOT883
Número de pieza
PMZB200UNEYL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN1006B-3
Disipación de energía (máx.)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
89pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 24296 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave dePMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL Componentes electrónicos
PMZB200UNEYL Ventas
PMZB200UNEYL Proveedor
PMZB200UNEYL Distribuidor
PMZB200UNEYL Tabla de datos
PMZB200UNEYL Fotos
PMZB200UNEYL Precio
PMZB200UNEYL Oferta
PMZB200UNEYL El precio más bajo
PMZB200UNEYL Buscar
PMZB200UNEYL Adquisitivo
PMZB200UNEYL Chip