Comprar Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315 MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

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PMZB670UPE,315

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Número de pieza

PMZB670UPE,315

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-XFDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

3-DFN1006B (0.6x1)

Disipación de energía (máx.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

680mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

87pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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