Comprar NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518 MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

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PHK12NQ10T,518

MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

Número de pieza

PHK12NQ10T,518

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

8.9W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1965pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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