Comprar NXP USA Inc. PMF3800SN,115 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

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PMF3800SN,115

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323

Número de pieza

PMF3800SN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-70, SOT-323

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-323-3

Disipación de energía (máx.)

560mW (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

260mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.3V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

0.85nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±15V

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