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2SK536-TB-E
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Número de pieza
2SK536-TB-E
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-59
Disipación de energía (máx.)
200mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
50V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±12V
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