ON Semiconductor
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FDC855N
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FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
Número de pieza
FDC855N
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
SuperSOT™-6
Disipación de energía (máx.)
1.6W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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