Comprar ON Semiconductor FDD3510H MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

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Hojas de datos

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Número de pieza

FDD3510H

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Potencia - Máx.

1.3W

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252-4L

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

80V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.3A, 2.8A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 40V

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