ON Semiconductor
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FDFM2N111
Hojas de datos

FDFM2N111

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Número de pieza
FDFM2N111
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-MLP, Power33
Paquete de dispositivo del proveedor
MicroFET 3x3mm
Disipación de energía (máx.)
1.7W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
273pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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