ON Semiconductor
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FDFME2P823ZT
Hojas de datos

FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Número de pieza
FDFME2P823ZT
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Disipación de energía (máx.)
1.4W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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