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FDS6064N7

MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Número de pieza

FDS6064N7

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7191pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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