La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Número de pieza
FQD10N20CTM
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
D-Pak
Disipación de energía (máx.)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29026 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQD10N20CTM
FQD10N20CTM Componentes electrónicos
FQD10N20CTM Ventas
FQD10N20CTM Proveedor
FQD10N20CTM Distribuidor
FQD10N20CTM Tabla de datos
FQD10N20CTM Fotos
FQD10N20CTM Precio
FQD10N20CTM Oferta
FQD10N20CTM El precio más bajo
FQD10N20CTM Buscar
FQD10N20CTM Adquisitivo
FQD10N20CTM Chip