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NDD02N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V IPAK
Número de pieza
NDD02N60Z-1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
274pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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