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NTGS1135PT1G

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Número de pieza

NTGS1135PT1G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

970mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.6A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

850mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.2V, 4.5V

Vgs (máx.)

±6V

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