ON Semiconductor
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NTJD1155LT1G
Hojas de datos

NTJD1155LT1G

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Número de pieza
NTJD1155LT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potencia - Máx.
400mW
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.3A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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