Comprar ON Semiconductor NTMS10P02R2G MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

NTMS10P02R2G

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Número de pieza

NTMS10P02R2G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOIC

Disipación de energía (máx.)

1.6W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.8A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3640pF @ 16V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 23572 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC