Comprar Renesas Electronics America NP83P04PDG-E1-AY MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

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Hojas de datos

NP83P04PDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Número de pieza

NP83P04PDG-E1-AY

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta), 150W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

83A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 41.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9820pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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