Comprar Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3 MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

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RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK

Número de pieza

RJK2006DPE-00#J3

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-83

Paquete de dispositivo del proveedor

4-LDPAK

Disipación de energía (máx.)

100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

40A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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