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EMG3T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Número de pieza
EMG3T2R
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SC-75, SOT-416
Potencia - Máx.
150mW
Paquete de dispositivo del proveedor
EMT3
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
50V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corriente: corte del colector (máx.)
500nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Frecuencia - Transición
250MHz
Resistencia - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
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