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HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Número de pieza
HS8K11TB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-UDFN Exposed Pad
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
HSML3030L10
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7A, 11A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
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