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QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Número de pieza
QH8MA2TCR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
1.25W
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT8
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.5A, 3A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 10V
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