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QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Número de pieza
QS5U17TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT5
Disipación de energía (máx.)
900mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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