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QS8K11TCR

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Número de pieza
QS8K11TCR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
1.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT8
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.5A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
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