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RS1P600BETB1
RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH
Número de pieza
RS1P600BETB1
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSOP
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 50V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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