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US6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Número de pieza
US6J11TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potencia - Máx.
320mW
Paquete de dispositivo del proveedor
UMT6
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.3A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
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