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STFI11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Número de pieza
STFI11N65M2
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ II Plus
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAKFP (TO-281)
Disipación de energía (máx.)
25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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