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STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Número de pieza
STH310N10F7-2
Fabricante/Marca
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
H2Pak-2
Disipación de energía (máx.)
315W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
180A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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