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STH3N150-2
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
Número de pieza
STH3N150-2
Fabricante/Marca
Serie
PowerMESH™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Paquete de dispositivo del proveedor
H²PAK
Disipación de energía (máx.)
140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
29.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
939pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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