Comprar Taiwan Semiconductor Corporation HS3B M6G DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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HS3B M6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Número de pieza

HS3B M6G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-214AB, SMC

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-214AB (SMC)

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1V @ 3A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 100V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

100V

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

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