Comprar Taiwan Semiconductor Corporation S12JC M6G DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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S12JC M6G

DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Número de pieza

S12JC M6G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DO-214AB, SMC

Paquete de dispositivo del proveedor

DO-214AB (SMC)

Tipo de diodo

Standard

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

12A

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.1V @ 12A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

1µA @ 600V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Capacitancia @ Vr, F

78pF @ 4V, 1MHz

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