Comprar Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(SHORT,F) OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

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Hojas de datos

4N35(SHORT,F)

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Número de pieza

4N35(SHORT,F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Tipo de salida

Transistor with Base

número de canales

Paquete de dispositivo del proveedor

6-DIP

Corriente - Salida / Canal

100mA

Voltaje - Aislamiento

2500Vrms

Tiempo de subida/caída (típico)

Voltaje - Salida (Máx.)

30V

Voltaje - Directo (Vf) (Típico)

1.15V

Corriente - CC directa (si) (máx.)

60mA

Ratio de transferencia actual (mín.)

40% @ 10mA

Relación de transferencia actual (máx.)

Hora de encendido/apagado (típico)

3µs, 3µs

Saturación Vce (máx.)

300mV

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