Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X MOSFET N CH 60V 100A TO-220

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TK100E06N1,S1X

MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Número de pieza

TK100E06N1,S1X

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

255W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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