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TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Número de pieza
TK32E12N1,S1X
Serie
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220
Disipación de energía (máx.)
98W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
120V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 60V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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