Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X MOSFET N CH 120V 60A TO-220

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TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Número de pieza

TK32E12N1,S1X

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220

Disipación de energía (máx.)

98W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

120V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 60V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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