Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LQ MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

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Hojas de datos

TK55S10N1,LQ

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Número de pieza

TK55S10N1,LQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK+

Disipación de energía (máx.)

157W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

55A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3280pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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