Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

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TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Número de pieza

TK60P03M1,RQ(S

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

63W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 500µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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