Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK65G10N1,RQ MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

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TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Número de pieza

TK65G10N1,RQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

65A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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