Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

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TK80S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Número de pieza

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK+

Disipación de energía (máx.)

100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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