Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

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Hojas de datos

TPN1110ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Número de pieza

TPN1110ENH,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

700mW (Ta), 39W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

7.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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