Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

TPWR8004PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

Número de pieza

TPWR8004PL,L1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-DSOP Advance

Disipación de energía (máx.)

1W (Ta), 170W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

150A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

0.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9600pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 33248 PCS

Información del contacto