Comprar Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

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TRS8E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

Número de pieza

TRS8E65C,S1Q

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-2

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-2L

Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

8A (DC)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.7V @ 8A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

90µA @ 650V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

650V

Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns

Temperatura de funcionamiento: unión

175°C (Max)

Capacitancia @ Vr, F

44pF @ 650V, 1MHz

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