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TPD3215M
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Número de pieza
TPD3215M
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
Module
Potencia - Máx.
470W
Paquete de dispositivo del proveedor
Module
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
70A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 100V
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