Comprar Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

SI3127DV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

Número de pieza

SI3127DV-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

6-TSOP

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

833pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 54729 PCS

Información del contacto