La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Número de pieza
SI3812DV-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
LITTLE FOOT®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Disipación de energía (máx.)
830mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
600mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 5954 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSI3812DV-T1-E3
SI3812DV-T1-E3 Componentes electrónicos
SI3812DV-T1-E3 Ventas
SI3812DV-T1-E3 Proveedor
SI3812DV-T1-E3 Distribuidor
SI3812DV-T1-E3 Tabla de datos
SI3812DV-T1-E3 Fotos
SI3812DV-T1-E3 Precio
SI3812DV-T1-E3 Oferta
SI3812DV-T1-E3 El precio más bajo
SI3812DV-T1-E3 Buscar
SI3812DV-T1-E3 Adquisitivo
SI3812DV-T1-E3 Chip