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SI4800BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Número de pieza
SI4800BDY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
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